硬盘时代终结前的“闪存”专利诉讼大战与专利技术走势

一、大容量存储技术即将迎来“闪存时代” 闪存技术已经普及应用到几乎所有电子设备，如手机、汽车、打印机、网络设备、机顶盒、高清电视、游戏机，及其他电子消费产品。首先，随着小容量闪存产品的价格急剧跌落，使用闪存的U盘、数码相机、手机、MP3、MP4等电子产品已经走入寻常百姓家。计算机软盘、播放器微硬盘、随身听光盘等大量存储介质已经被小容量闪存产品取代。小容量电子存储已经进入“闪存时代”。大容量闪存产品也在推动一场新的存储革命，并将打破硬盘独霸大容量存储市场的旧格局。例如，超级天才公司推出的128G闪存已经在一些台式计算机中取代硬盘。三星公司今年年底将推出256G的大容量闪存，并逐步将它推广到笔记本电脑。索尼更是先行一步，率先在全球推出了用闪存取代硬盘的笔记本电脑，并迅速赢得了市场追捧。闪存计算机的优势有哪些呢？首先，它可实现即时、瞬间启动。其次，由于没有硬盘马达和硬盘驱动器，闪存计算机基本可以实现静音工作。此外，闪存计算机的抗震、抗摔打性能极强，它在国防、建筑、民航、交通等部门有快速普及的技术优势；在功耗、重量、体积、读取速度、防潮、防磁等方面，闪存计算机也具有很大竞争优势。凭借闪存计算机的上述优势，大容量存储行业即将迎来“闪存时代”。二、美国专利侵权诉讼掀起全球霸主之争闪存产品有巨大的上下游市场。例如，远东地区聚集着全球最大的闪存产业基地，其中，仅三星公司2008年的闪存销售收入就可望突破150亿美元；索尼公司也是远东闪存行业的一大霸主；在下游应用方面，联想、鸿海等远东企业拥有极其巨大的产能。这一地区生产的U盘、数码相机、手机、MP3、MP4、影碟机、计算机等各种电子产品一般占全球产量的50-90％以上。因此，获得对远东地区闪存产品的技术、配件供应商地位，实际上就获得了对全球闪存市场的控制地位。为了在大容量存储器开始广泛采用闪存产品的关键时期获得市场竞争优势，全球第一大闪存产品供应商美国Spansion公司对远东闪存产业链率先发起专利战，其矛头不但指向三星等闪存芯片制造商，而且指向使用“侵权”芯片的大量下游产品制造商、贸易商。如，2008年11月17日，Spansion公司向美国联邦贸易委员会提起337诉讼，被告33家，其中，中国公司13家，主要包括联想集团下属的六家公司，北京SE普天移动通讯公司，三星集团下属的五家公司，索尼集团下属的四家公司，金斯顿集团下属的三家公司，以及台湾鸿海精密工业公司等。原告指控被告侵犯6380029号专利的1至13项权利要求，侵犯6080639号专利的第1至12项权利要求，侵犯6376877号专利的第1至8项权利要求，侵犯5715194号专利的第13、15至18、20至22项权利要求。被控侵权产品包括闪存芯片以及下游产品。受冲击最大的产品是使用“侵权”闪存芯片的下游电子设备，例如在美国热销的iPod播放器、黑莓手机、智能电话、数码相机、索爱手机、联想X300和X301笔记本电脑等。随后，Spansion还在特拉华州联邦地区法院提起关联诉讼，把涉案专利增加到9个。这些专利一般在6至10年前授权，属于闪存领域的基础专利。原告声称“侵权”产品数量超过1亿，仅过去五年，三星“侵权”产品的销售额就超过300亿美元。很多专家认为，该案可能以巨大的和解赔偿额结案，并能深刻改变闪存市场的全球竞争格局。例如，2006年，黑莓手机制造商“移动研究公司”同意向手机电子邮件的专利权人支付6.125亿美元，从而终结两者之间的专利侵权诉讼。这个闪存专利案件的争议标的额将远远超出上述电子邮件专利案件。受三星、索尼、英特尔联盟的冲击，Spansion闪存芯片的利润跌落为全球第三位。正如GE公司前CEO杰克.韦尔奇所言，其在每个产业的地位都要进入全球前三名，否则就面临被边缘化，被淘汰的风险。为了防止继续滑落，Spansion必须拼力一搏；发起上述诉讼可谓正逢其时。这个诉讼的商业效果也很好。例如，起诉的消息发布仅数小时后，Spansion公司的股价上涨32%。三、我国企业积极投身闪存专利部署竞赛上述案件可能是闪存领域最后一起基础专利纠纷。此后，覆盖全行业的基础专利诉讼将不复存在。我国企业部署的大量下游专利将开始发挥保驾护航的作用。因此，无论上述案件的结果如何，继续大力挖掘、部署闪存专利，这对我国企业而言，仍然具有商业价值。我国是全球最大的闪存专利文献发表国之一。大部分专利文献来自国内发明人。相关文献主要分布在如下技术领域：第一，芯片技术。例如，200710159607.4号文献涉及一种多芯片闪存器件及其复录方法。01142988.7号文献涉及一种具有存储器阵列的高密度集成电路。200710127894.0号文献涉及一种非易失性存储器单元集成电路及其制造方法。再如，200510041321.7号文献涉及一种利用处理器的磁盘开启芯片存储器的引导方法。第二，存储单元技术。例如，200710148848.9号文献涉及一种具有金属电容器的非易失性存储单元及电子系统。再如，200710199906.0号文献涉及一种多位闪存器件和存储单元阵列。第三，存储器装置。02143453.0号文献涉及一种半导体存储器。200710105006.5号文献涉及一种半导体非易失性存储器。再如，200710149020.5号文献涉及一种非易失性存储设备和相关操作方法。在非易失性存储设备中，在编程操作的第一编程间隔期间，在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据，随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间，在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据，在多个非易失性存储单元上执行编程操作。第四，存储器制造、操作方法。例如，200710007249.5号文献涉及一种闪存装置制造方法。该装置包括蚀刻层叠于半导体衬底上的部分隧穿氧化物层、第一多晶硅层、硬掩模层和半导体衬底等。再如，200710130367.5号文献涉及一种快闪存储器件的制造方法。200710090404.4号文献涉及一种闪存装置和闪存的访问方法。第五，存储器系统。例如，03149427.7号文献涉及一种使用动态随机存取存储器和闪存的系统。再如，0212196.x号文献涉及一种闪存桥接装置、方法及其应用系统。它用闪存桥接装置中提供的缓冲区作为高速缓存，以储存NAND闪存中的部分地址数据；用闪存桥接装置中提供的高速缓存控制逻辑判断欲读取的数据为高速缓存命中。第六，数据恢复技术。例如，200710181431.2号文献涉及一种具有闪存设备的系统及其数据恢复方法。该方法包括：对耗损平衡方案读取来自闪存设备的块排列信息；参考块排列信息中包含的分配块信息恢复块映射表；参考块排列信息中包含的擦写块信息，扫描在所述闪存设备的擦写块的备用区域中包含的地址分配信息，并且根据扫描的地址分配信息更新块映射表。第七，管理、编程方法。例如，200710168029.0号文献涉及一种管理非易失性存储器的设备和方法。再如，200710072980.6号文献涉及一种闪存的区块管理方法。例如，200710142756.X号文献涉及一种闪存器件及编程方法。再如，200710101881.6号文献涉及一种用于编程快闪存储器件的方法。第八，数据管理方法。例如，200710194489.0号文献涉及一种非易失性地存储冗余数据的ECC保护保留区域的NAND闪存器件。再如，200710088991.3号文献涉及一种非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法。第九，存储器结构。例如，200710088553.7号文献涉及一种在非易失性存储器中存储多位的位符号识别方法和结构。再如，02105016.3号文献涉及一种分离栅极式快速存储器的制造方法及结构。第十，二极管存储器。例如：200710192779.1号文献涉及一种栅极二极管非易失性存储器的操作。再如，200710192774.9号文献涉及一种栅极二极管非易失性存储器工艺。第十一，防毒存储器。例如，200710024627.0号文献涉及一种防毒USB快闪存储器。它由USB接口、控制芯片和Flash 存储芯片构成；控制芯片支持USB协议，可以通过USB接口与外部主机进行相关命令和数据的通信，并将数据写入或读出Flash存储芯片。第十二，多位存储器。例如，200710104550.8号文献涉及一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法。再如，200580041548.X号文献涉及一种多位纳米晶体存储器。第十三，纳米硅存储器。例如，200710021060.1号文献涉及一种基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法。再如， 200810035117.8号文献涉及一种纳米硅材料侧壁结构复位闪存及其制作、使用方法。它包括衬底、位于衬底上的控制栅，控制栅两侧各有一个侧壁，侧壁上有纳米硅层，纳米硅层由二氧化硅、纳米硅和二氧化硅依次叠加而成。第十四，三维存储器。例如，02150106.8号文献涉及一种三维存储器之只读存储元。多个只读存储元通过多根选址线相连，组成一个存储层。多个存储层在衬底上相互重叠。再如，200710164878.9号文献涉及一种具有三维排列的存储单元晶体管的与非型闪存器件。第十五，控制器。例如， 02145716.6号文献涉及一种用于控制在非易失性存储器中重写数据的交通工具控制器。再如，94190541.1号文献涉及一种用于微控制器的可遥控改编程序的程序存储器。此外，还有大量闪存专利涉及U盘、播放机、录音笔、手机、数码相机、数字电视等下游产品。这类专利72%以上来自国内发明人。